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西安交通大學(xué)成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料

發(fā)布:2011-6-22 10:35:01  來源: 中國教育網(wǎng) [字體: ]

日前,西安交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院先進(jìn)陶瓷研究所博士生戴培赟在楊建鋒教授指導(dǎo)下用物理氣相傳輸法成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加燒結(jié)助劑的條件下獲得了接近理論密度的純碳化硅塊體陶瓷材料,標(biāo)志著西安交大在陶瓷研究方面獲得重要進(jìn)展。

 
  物理氣相傳輸法(HTPVT)是制備單晶碳化硅的常用方法,在材料學(xué)院碳化硅單晶材料研究的基礎(chǔ)上,戴培赟在研究工作中進(jìn)行了不同原料密度和燒結(jié)工藝的對(duì)比試驗(yàn),建立了碳化硅多晶陶瓷的生長(zhǎng)模型,并從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)角度解釋了碳化硅多晶生長(zhǎng)的原理。此方法完全不同于現(xiàn)有的碳化硅陶瓷的制備工藝,獲得的材料具有優(yōu)異的性能,在軍工、電子、機(jī)械等行業(yè)具有良好的應(yīng)用前景,此技術(shù)已申請(qǐng)國家發(fā)明專利。

  目前,戴培赟作為第一作者完成的《Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method》論文已被材料科學(xué)領(lǐng)域的國際權(quán)威雜志《Acta Materialia》接收,并準(zhǔn)備發(fā)表。

  該研究受到國家基金委項(xiàng)目、教育部博士點(diǎn)基金項(xiàng)目支持。

 

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