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半導體陶瓷、層疊型半導體陶瓷電容器的制造方法

發(fā)布:2010-1-18 10:32:05  來源: 科技在線 [字體: ]

申請?zhí)?專利號: 200780000966

  本發(fā)明提供一種半導體陶瓷,施主元素相對于Ti元素100摩爾,在0.8~2.0摩爾的范圍中固溶在晶粒中,受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中,受主元素以相對于Ti元素100摩爾,在0.3~1.0摩爾的范圍中存在于晶界中,晶粒的平均粒徑為1.0μm以下。使用該半導體陶瓷,取得層疊型半導體陶瓷電容器。這時,在進行還原煅燒的一次煅燒處理中,把冷卻開始時的氧分壓設(shè)定為煅燒過程的氧分壓的1.0×10↑[4]倍以上,進行冷卻處理。據(jù)此,實現(xiàn)即使晶粒的平均粒徑微粒化到1.0μm以下,也具有5000以上的表觀相對介電常數(shù)εr↓[APP]和10以上的比電阻logρ(ρ:Ω·cm)的SrTiO↓[3]類晶界絕緣型的半導體陶瓷和使用它的層疊型半導體陶瓷電容器、它們的制造方法。

申請日: 2007年05月28日

公開日: 2009年01月14日

授權(quán)公告日: 

申請人/專利權(quán)人: 株式會社村田制作所

申請人地址: 日本京都府

發(fā)明設(shè)計人: 川本光俊

專利代理機構(gòu): 中科專利商標代理有限責任公司

代理人: 李香蘭

專利類型: 發(fā)明專利

分類號: C04B35/47;H01G4/12

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